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由 6 个芯片硅 P/N 光电二极管阵列组成的光学器件，输出信号具有高均匀性。 该器件基于 PiN 二极管，具有反向偏置的性能。 每个硅片的有效面积为 2.5 x 1.1 mm2。
高光学响应度归因于沉积在光电二极管有源区域上的优化抗反射涂层。 暗电流非常适合高温应用。
选择材料是为了在整个温度范围内获得更好的性能。OID7与市场上其他标准件完全兼容，如OPR2100、OL2100、PA2100； 它在硅片（前端）和封装（后端）中都有特殊设计，从而提高了组件的可靠性。
工作温度范围：-40…125 °C
储存温度：-40：125 °C
引线温度（焊料）3s：260 °C
反向击穿电压@TA=25°C IR=100uA：40 V
芯片对环境（封装）的热阻：110 °C/W
暗电流
T=25°C VR=5V：典型0.35 nA ，max.5 nA
T=125°C VR=5V：典型5 uA
响应度 VR=5V λ=950nm：0.5…0.65 A/W
峰值响应度 VR=5V：950 nm
光谱带宽@50% VR=5V：600…1050 nm
正向电压 IF=10mA：0.85 V
上升时间 (10%...90%) （VR=20V RL=50，λ=650nm ip=250uA）：40 ns
下降时间 (90%...10%) ：40 ns
电容 VR=0V f=10kHz Φ=0：典型20 pF，max.30 pF
有效面积：2.75 mm2
有效区域长度：2.5 mm
有效区域宽度：1.1 mm
增量旋转编码器
增量线性编码器
一般用途
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